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【极智课堂】盛阳:宽禁带微电子和光电子半导体器件的仿真和设计

放大字体  缩小字体 发布日期:2020-06-05   来源:中国半导体照明网  浏览次数:472
 
第三代半导体又称宽禁带半导体,禁带宽度在 2.2eV 以上,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点,逐步受到重视。第三代半导体材料是提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑。是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”,在半导体照明、新一代移动通信、能源互联网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景,有望突破传统半导体技术的瓶颈。
 
本期极智课堂邀请到了Crosslight software inc中国区总经理盛阳带来了“宽禁带微电子和光电子半导体器件的仿真和设计”的精彩主题分享。

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宽禁带半导体材料按照元素数量可以分为单质,比如C(金刚石)、二元(GaAs InP SiC GaN AlN InN等)、三元(InGaAs InGaP AlGaAs ZnCdSe InAlP等)、四元(ZnMgSSe  InGaAsP InGaAlP等)、五元(InGaAlPSb InGaAsNSb InGaNZnO)等。
 
按照族类分为IV-IV(SiC)、II-VI(ZnO HgCdTe等)、III-V(GaN GaAs InP GaSb等)、II-III-V-VI(InGaNZnO等)。
 
按照禁带宽度分为第二代半导体(GaAs InP等)、第三代半导体(SiC GaN ZnO等)。
 
电学光学热学物理模型类别,分为电学、光学、热学、力学、磁学,模型作用范围涉及材料本身(比如陷阱,掺杂,能带模型等)、材料之间(界面态、应力等)、器件局部区域(量子隧穿、弹道输运等)、器件整体(漂移扩散、波导模式等)。
 
器件仿真的作用涉及正向研究,比如仿真拟合测量结果,分析和优化器件结构,进而实现更高器件性能、更节约成本的结构方案、减少流片次数。
 
器件仿真的机理探索,主要涉及分析器件内部机理,进而发现新的外延结构、发现新的器件类型、发现复合器件结构。
 
器件仿真的拓展方向,涉及融会贯通所有半导体材料特性、半导体结构类型、半导体器件类型等。
器件仿真连接上下游,比如基于原子分子物理的材料特性计算、基于原子物理的动态过程计算、基于麦克斯韦方程组的电磁波计算。
 
报告中详细分享了SiC/GaN/GaAs/InP基微电子器件的仿真设计及案例、宽禁带半导体发光器件的仿真设计及案例、宽禁带半导体吸收光器件的仿真设计及案例、器件+电路的混合仿真等。
 
 
 
 
【特别说明】
文字仅为部分内容摘要呈现,报告详细丰富,技术与趋势兼有,信息含量大,建议观看直播回放。
 
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