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科锐推进建造全球最大SiC器件制造工厂和扩大SiC产能

放大字体  缩小字体 发布日期:2020-08-31   来源:中国半导体照明网  作者:科锐  浏览次数:522
在科锐 (Cree, Inc., 美国纳斯达克上市代码: CREE),我们正在推进从硅 (Si) 向碳化硅 (SiC) 的产业转型。为了满足日益增长的对于我们开创性 Wolfspeed 技术的需求,以支持电动汽车 (EV)、4G/5G 通信和工业市场的不断增长,我们于去年秋季宣布公司将在美国东海岸打造碳化硅 (SiC) 走廊。


 
科锐目前正在纽约州 Marcy 建造全球最大的碳化硅 (SiC) 制造工厂。这一全新的、采用领先前沿技术的功率和射频制造工厂,将满足车规级标准和 200mm 工艺。与此同时,位于公司总部北卡罗莱纳州达勒姆市的超级材料工厂 (mega materials factory) 的建设也在进行之中。这一全新的制造工厂将显着提升用于 Wolfspeed 碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 业务的产能,将建设成为一座规模更为庞大、高度自动化且具备更高生产能力的工厂。
 

 
科锐首席执行官 Gregg Lowe 先生表示:“科锐将在碳化硅 (SiC) 制造和研发方面继续加大投入,以支持全球范围内对于我们技术不断增长的需求。我们相信先进半导体制造对于引领加速关键下一代技术起着至关重要的作用。”
 
关于英文原稿,敬请浏览:https://www.cree.com/mohawk-valley-fab
 
关于科锐
 
科锐是Wolfspeed功率和射频(RF)半导体、照明级LED的创新者??迫馱olfspeed产品组合包括了碳化硅(SiC)材料、功率器件、射频器件,广泛应用于电动汽车(EV)、快速充电、逆变器、电源、电信、军事、航空航天等领域??迫馤ED产品组合包括了蓝光和绿光LED芯片、高亮度LED和照明级大功率LED,广泛应用于室内和户外照明、显示屏、交通、特种照明等领域。更多关于产品和公司信息,敬请浏览:www.cree.com。
 
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